2SK3906(Q)數據表
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 20A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 330mOhm @ 10A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 60nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4250pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 150W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-3P(N) 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 |