Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

2SJ380(F)數據表

2SJ380(F)數據表
總頁數: 6
大小: 230.12 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號: 2SJ380(F)
2SJ380(F)數據表 頁面 1
2SJ380(F)數據表 頁面 2
2SJ380(F)數據表 頁面 3
2SJ380(F)數據表 頁面 4
2SJ380(F)數據表 頁面 5
2SJ380(F)數據表 頁面 6
2SJ380(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220NIS

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack