1HN04CH-TL-W數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 270mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8Ohm @ 140mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.6V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.9nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 15pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-CPH 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
