晶體管

MMRF1304GNR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 133V 512MHZ TO270-2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 512MHz
• 增益: 25.4dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: 25W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: TO-270BA
• 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL

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MMRF1304LR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 133V 512MHZ NI-360

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 512MHz
• 增益: 25.9dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: 25W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI-360
• 供應商設備包裝: NI-360

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MMRF1304NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 133V 512MHZ TO270-2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 512MHz
• 增益: 25.4dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: 25W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: TO-270AA
• 供應商設備包裝: TO-270-2

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MMRF1305HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 512MHz
• 增益: 26dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 100W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI780-4
• 供應商設備包裝: NI-780-4

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MMRF1305HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 512MHz
• 增益: 26dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 100W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI-780S-4
• 供應商設備包裝: NI-780S-4

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MMRF1306HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 24dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1250W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1306HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 24dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1250W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1308HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 25dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 600W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1308HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 25dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 600W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1310HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 26.5dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 300W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI780-4
• 供應商設備包裝: NI-780-4

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MMRF1310HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 26.5dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 300W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: NI-780S-4
• 供應商設備包裝: NI-780S-4

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MMRF1311HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 470-860MHZ 600W 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 470MHz ~ 860MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: -
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: -
• 功率-輸出: 140W
• 電壓-額定: 50V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1312GSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 19.6dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 112V
• 包裝/箱: NI-1230-4S GW
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S GULL

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MMRF1312HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 19.6dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 112V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1312HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.034GHz
• 增益: 19.6dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 112V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1314GSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.4GHz
• 增益: 17.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: NI-1230-4S GW
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S GULL

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MMRF1314HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.4GHz
• 增益: 17.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1314HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.4GHz
• 增益: 17.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 500mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1315NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 66V 880MHZ TO270

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 880MHz
• 增益: 21.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 450mA
• 功率-輸出: 14W
• 電壓-額定: 66V
• 包裝/箱: TO-270-2
• 供應商設備包裝: TO-270-2

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MMRF1316NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 27dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 300W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: TO-270-4
• 供應商設備包裝: TO-270 WB-4

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MMRF1317HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 18.2dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1300W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1317HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 18.2dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 1300W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1318NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 110V 450MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 450MHz
• 增益: 22dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 900mA
• 功率-輸出: 300W
• 電壓-額定: 110V
• 包裝/箱: TO-270-4
• 供應商設備包裝: TO-270 WB-4

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MMRF1320GNR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 26.1dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 150W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: TO-270BB
• 供應商設備包裝: TO-270 WB-4 Gull

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MMRF1320NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 230MHz
• 增益: 26.1dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 150W
• 電壓-額定: 133V
• 包裝/箱: TO-270-4
• 供應商設備包裝: TO-270 WB-4

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MMRF2004NBR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.7GHZ TO-272

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.7GHz
• 增益: 28.5dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 77mA
• 功率-輸出: 4W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: TO-272-16 Variant, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TO-272 WB-16

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MMRF2005NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 940MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 940MHz
• 增益: 35.9dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 106mA
• 功率-輸出: 3.2W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: TO-270-16 Variant, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TO-270 WBL-16

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MMRF2007GNR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 頻率: -
• 增益: -
• 電壓-測試: -
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: -
• 功率-輸出: -
• 電壓-額定: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MMRF2007NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 70V 940MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 940MHz
• 增益: 32.6dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 60mA
• 功率-輸出: 35W
• 電壓-額定: 70V
• 包裝/箱: TO-270-16 Variant, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TO-270 WBL-16

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MMRF2010GNR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

TRANS RF LDMOS 250W 50V

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.09GHz
• 增益: 32.1dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 80mA
• 功率-輸出: 250W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: TO-270-14 Variant, Gull Wing
• 供應商設備包裝: TO-270 WB-14 GULL

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