晶體管

MMRF1005HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 120V 1.3GHZ NI-780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.3GHz
• 增益: 22.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 250W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MMRF1005HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.3GHz
• 增益: 22.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 250W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MMRF1006HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 450MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 150mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1006HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 450MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 150mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: NI-1230S-4
• 供應商設備包裝: NI-1230S-4

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MMRF1007HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 150mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 110V
• 包裝/箱: NI-1230-4H
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1007HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 150mA
• 功率-輸出: 1000W
• 電壓-額定: 110V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1008GHR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 900MHz ~ 1.215GHz
• 增益: 20.3dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: 100µA
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 275W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: NI-780GH-2L
• 供應商設備包裝: NI-780GH-2L

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MMRF1008HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 100V 1.03GHZ NI-780

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 20.3dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 275W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MMRF1008HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 20.3dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 275W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MMRF1009HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 19.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 200mA
• 功率-輸出: 500W
• 電壓-額定: 110V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MMRF1009HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.03GHz
• 增益: 19.7dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 200mA
• 功率-輸出: 500W
• 電壓-額定: 110V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MMRF1011HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 100V 1.4GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.4GHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 150mA
• 功率-輸出: 330W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: SOT-957A
• 供應商設備包裝: NI-780H-2L

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MMRF1011HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 100V 1.4GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.4GHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 150mA
• 功率-輸出: 330W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: NI-780S
• 供應商設備包裝: NI-780S

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MMRF1012NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 120V 220MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 220MHz
• 增益: 23.9dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 30mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: TO-270-2
• 供應商設備包裝: TO-270-2

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MMRF1013HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.9GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.9GHz
• 增益: 13.3dB
• 電壓-測試: 30V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 320W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1013HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.9GHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.9GHz
• 增益: 13.3dB
• 電壓-測試: 30V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 320W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230-4S
• 供應商設備包裝: NI-1230-4S

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MMRF1014NT1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.96GHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 50mA
• 功率-輸出: 4W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: PLD-1.5
• 供應商設備包裝: PLD-1.5

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MMRF1015GNR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 960MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 125mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: TO-270BA
• 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL

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MMRF1015NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 68V 960MHZ TO270

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 18dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 125mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 68V
• 包裝/箱: TO-270-2
• 供應商設備包裝: TO-270-2

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MMRF1016HR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 120V 225MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 225MHz
• 增益: 25dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 2.6A
• 功率-輸出: 125W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: SOT-979A
• 供應商設備包裝: NI-1230-4H

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MMRF1017NR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 960MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 960MHz
• 增益: 20dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 1.4A
• 功率-輸出: 80W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: OM-780-2
• 供應商設備包裝: OM-780-2

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MMRF1018NBR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 120V 860MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 860MHz
• 增益: 22dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 350mA
• 功率-輸出: 18W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: TO-272-4
• 供應商設備包裝: TO-272-4

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MMRF1018NR1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 120V 860MHZ

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 860MHz
• 增益: 22dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 350mA
• 功率-輸出: 18W
• 電壓-額定: 120V
• 包裝/箱: TO-270-4
• 供應商設備包裝: TO-270 WB-4

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MMRF1019NR4

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 1.09GHz
• 增益: 25dB
• 電壓-測試: 50V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 10mA
• 功率-輸出: 10W
• 電壓-額定: 100V
• 包裝/箱: PLD-1.5
• 供應商設備包裝: PLD-1.5

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MMRF1020-04GNR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 920MHz
• 增益: 19.5dB
• 電壓-測試: 48V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 860mA
• 功率-輸出: 100W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: OM-780G-4L
• 供應商設備包裝: OM-780G-4L

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MMRF1020-04NR3

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 920MHz
• 增益: 19.5dB
• 電壓-測試: 48V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 860mA
• 功率-輸出: 100W
• 電壓-額定: 105V
• 包裝/箱: OM780-4
• 供應商設備包裝: OM780-4

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MMRF1021NT1

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 870MHz
• 增益: 15.2dB
• 電壓-測試: 7.5V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 100mA
• 功率-輸出: 7.3W
• 電壓-額定: 30V
• 包裝/箱: PLD-1.5W
• 供應商設備包裝: PLD-1.5W

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MMRF1022HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.14GHz
• 增益: 16.2dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 500mA
• 功率-輸出: 63W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230-4LS2L
• 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L

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MMRF1023HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS
• 頻率: 2.3GHz
• 增益: 14.9dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 750mA
• 功率-輸出: 66W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230-4LS2L
• 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L

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MMRF1024HSR5

NXP

晶體管-FET，MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: LDMOS (Dual)
• 頻率: 2.5GHz
• 增益: 14.1dB
• 電壓-測試: 28V
• 額定電流（安培）: -
• 噪聲系數: -
• 當前-測試: 700mA
• 功率-輸出: 50W
• 電壓-額定: 65V
• 包裝/箱: NI-1230-4LS2L
• 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L

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