晶體管

型號	描述	庫存
DTB123TCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存4,356
DTB123TKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存5,220
DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存4,194
DTB123YCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存24,684
DTB123YKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存4,734
DTB123YUT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存21,720
DTB143ECHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR ( 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存6,390
DTB143ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存6,732
DTB143ECT216 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存2,448
DTB143EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存25,554
DTB143ESTP Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝: SPT	庫存3,544
DTB143TKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存6,696
DTB513ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存23,082
DTB513ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存6,642
DTB523YETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存2,178
DTB523YMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存6,696
DTB543EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存8,136
DTB543EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存6,156
DTB543XMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存5,292
DTB543ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存3,816
DTB713ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存4,878
DTB713ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存74,634
DTB723YETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存3,474
DTB723YMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存2,772
DTB743EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存8,802
DTB743EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存8,046
DTB743XETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存3,438
DTB743XMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存5,418
DTB743ZETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存8,604
DTB743ZMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存6,822

DTB123TCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存4,356

DTB123TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存5,220

DTB123YCHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存4,194

DTB123YCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存24,684

DTB123YKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存4,734

DTB123YUT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存21,720

DTB143ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存6,390

DTB143ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存6,732

DTB143ECT216

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存2,448

DTB143EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存25,554

DTB143ESTP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝: SPT

庫存3,544

DTB143TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存6,696

DTB513ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存23,082

DTB513ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存6,642

DTB523YETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存2,178

DTB523YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存6,696

DTB543EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存8,136

DTB543EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存6,156

DTB543XMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存5,292

DTB543ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存3,816

DTB713ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存4,878

DTB713ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存74,634

DTB723YETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存3,474

DTB723YMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存2,772

DTB743EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存8,802

DTB743EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存8,046

DTB743XETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存3,438

DTB743XMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存5,418

DTB743ZETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存8,604

DTB743ZMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存6,822

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