晶體管

型號	描述	庫存
DTA144TMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存7,506
DTA144TT1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存4,626
DTA144TUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存7,956
DTA144VKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存3,996
DTA144WET1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存6,066
DTA144WET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存8,712
DTA144WETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存2,844
DTA144WKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存7,110
DTA144WM3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 260mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存4,860
DTA144WUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存2,610
DTB113ECHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTB113ECHZG IS THE HIGH RELIABIL 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,866
DTB113ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存3,870
DTB113EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存7,758
DTB113ESTP Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝: SPT	庫存4,266
DTB113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存2,106
DTB113ZCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存7,578
DTB113ZKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存8,100
DTB113ZSTP Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝: SPT	庫存6,642
DTB114ECHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存3,438
DTB114ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存5,490
DTB114EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存3,798
DTB114GCT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存45,432
DTB114GKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存26,364
DTB114TKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存2,502
DTB122JKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 220 Ohms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存3,618
DTB123ECHZGT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR ( 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存3,580
DTB123ECT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存5,328
DTB123EKFRAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存3,690
DTB123EKT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存6,138
DTB123ESTP Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝: SPT	庫存4,374

DTA144TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存7,506

DTA144TT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存4,626

DTA144TUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存7,956

DTA144VKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存3,996

DTA144WET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存6,066

DTA144WET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存8,712

DTA144WETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存2,844

DTA144WKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存7,110

DTA144WM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 260mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存4,860

DTA144WUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存2,610

DTB113ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTB113ECHZG IS THE HIGH RELIABIL

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,866

DTB113ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存3,870

DTB113EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存7,758

DTB113ESTP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝: SPT

庫存4,266

DTB113ZCHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存2,106

DTB113ZCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存7,578

DTB113ZKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存8,100

DTB113ZSTP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝: SPT

庫存6,642

DTB114ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存3,438

DTB114ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存5,490

DTB114EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存3,798

DTB114GCT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存45,432

DTB114GKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存26,364

DTB114TKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存2,502

DTB122JKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 220 Ohms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存3,618

DTB123ECHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存3,580

DTB123ECT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存5,328

DTB123EKFRAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存3,690

DTB123EKT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存6,138

DTB123ESTP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝: SPT

庫存4,374

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