晶體管

MJE5731AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 375V 1A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5731G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 1A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5742

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5742G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 400mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5850

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5850G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5851

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5851G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5852

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5852

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE5852G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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MJE700G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE700STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE701STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE702G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE702STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE703

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE703G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE703STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE800G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE800STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE801STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE802

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32

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MJE802G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE802STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJE803

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE803G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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MJE803STU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126-3

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MJF122

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FP

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MJF122G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FP

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