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MJE802STU

MJE802STU

僅供參考

型號 MJE802STU
PNEDA編號 MJE802STU
描述 TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE802STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE802STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE802STU, MJE802STU數據表 (總頁數: 4, 大小: 51.87 KB)
PDFMJE802STU數據表 封面
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MJE802STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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