晶體管

HN2A01FE-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 800MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN2A01FU-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN2A01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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HN2C01FU-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SM6

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HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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HN4A51JTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: USV

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HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10MA, 100MA
• 功率-最大: 100mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Common Emitter
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Common Base
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMV

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IMT17-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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IMT17T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT17T208

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT18T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 260MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT1AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT1AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT2AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT3AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMT4-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 225mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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IMT4T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX17T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMX17T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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