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IMT2AT108

IMT2AT108

僅供參考

型號 IMT2AT108
PNEDA編號 IMT2AT108
描述 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMT2AT108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMT2AT108
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
IMT2AT108, IMT2AT108數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,885.37 KB)
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IMT2AT108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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