晶體管

型號	描述	庫存
IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 346nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,076
IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存22,338
IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 279µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 222nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16900pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存3,726
IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 196µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存4,752
IPB017N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存7,326
IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 223nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16900pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存23,478
IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 279µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存71,544
IPB017N10N5LFATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.1V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 313W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,160
IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 196µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存12,180
IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存2,052
IPB020N04NGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9700pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7-3 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存22,728
IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 208µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12100pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存27,000
IPB020N10N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存22,764
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.1V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 313W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-3 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,794
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 273µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 37.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存18,954
IPB021N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,636
IPB022N04LGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,860
IPB023N04NGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,798
IPB023N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 141µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 198nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,696
IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 154µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8970pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,556
IPB024N10N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 183µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 138nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存2,430
IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,780
IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,876
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存6,516
IPB026N06NATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 75µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,528
IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存4,230
IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 184µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,844
IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存17,856
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,066
IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO263-7 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	庫存14,670

IPB015N04LGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 346nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,076

IPB015N04NGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存22,338

IPB015N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 279µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 222nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16900pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存3,726

IPB016N06L3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 196µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存4,752

IPB017N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存7,326

IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 223nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16900pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存23,478

IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 279µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存71,544

IPB017N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.1V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 313W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,160

IPB019N06L3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 196µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存12,180

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存2,052

IPB020N04NGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9700pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7-3
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存22,728

IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 208µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12100pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存27,000

IPB020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 210nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存22,764

IPB020N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™-5
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.1V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 313W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-3
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,794

IPB020NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 273µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 37.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存18,954

IPB021N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 196µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,636

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,860

IPB023N04NGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,798

IPB023N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 141µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 198nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,696

IPB024N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 154µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8970pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,556

IPB024N10N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 183µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 138nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存2,430

IPB025N08N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,780

IPB025N10N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,876

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存6,516

IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 75µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,528

IPB027N10N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 275µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存4,230

IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 184µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,844

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存17,856

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 118µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,066

IPB030N08N3GATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 155µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8110pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO263-7
包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

庫存14,670

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