晶體管

型號	描述	庫存
IPA65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存19,986
IPA65R150CFDXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,248
IPA65R190C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,942
IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 8A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 290µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,914
IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 730µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存23,244
IPA65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 HIGH POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,876
IPA65R190E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,688
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,424
IPA65R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,118
IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 996pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 29W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,538
IPA65R280C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,120
IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,128
IPA65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,712
IPA65R310CFDXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,438
IPA65R310DEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,606
IPA65R380C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,068
IPA65R380E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存15,972
IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,384
IPA65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,726
IPA65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CFD2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 31.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,092
IPA65R600C6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,626
IPA65R600E6XKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220-FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存17,316
IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存23,712
IPA65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 6A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 27.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,696
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 26.4W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,724
IPA70R450P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 22.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,628
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,418
IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 306pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 21.2W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存10,200
IPA70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 20.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,740
IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V TO-220-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 785pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,100

IPA65R150CFDXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存19,986

IPA65R150CFDXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2340pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,248

IPA65R190C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,942

IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 290µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,914

IPA65R190CFDXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 730µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存23,244

IPA65R190CFDXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

HIGH POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,876

IPA65R190E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 730µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1620pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,688

IPA65R1K0CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,424

IPA65R1K5CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,118

IPA65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ C7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 240µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 996pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,538

IPA65R280C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,120

IPA65R280E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,128

IPA65R310CFDXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,712

IPA65R310CFDXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,438

IPA65R310DEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,606

IPA65R380C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,068

IPA65R380E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存15,972

IPA65R400CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 320µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,384

IPA65R420CFDXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,726

IPA65R420CFDXKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CFD2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,092

IPA65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,626

IPA65R600E6XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220-FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存17,316

IPA65R650CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存23,712

IPA65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 27.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,696

IPA70R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26.4W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,724

IPA70R450P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,628

IPA70R600P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,418

IPA70R750P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 306pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 21.2W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存10,200

IPA70R900P7SXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,740

IPA80R1K0CEXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 785pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO220 Full Pack
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,100

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