內存IC

IS42S32160F-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-75ETL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-TFBGA
• 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32160F-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (16M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-55T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-55TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-55TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-55T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 90-LFBGA
• 供應商設備包裝: 90-BGA (13x8)

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車

IS42S32200C1-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 64Mb (2M x 32)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 86-TSOP II

加入購物車更新到購物車