內存IC

型號	描述	庫存
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IS42S32160C-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-LFBGA 供應商設備包裝: 90-WBGA (8x13)	庫存5,112
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IS42S32160F-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-TFBGA 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)	庫存8,532
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IS42S32160F-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 86-TSOP II	庫存8,856

IS42S32160C-6BLI-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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庫存4,392

IS42S32160C-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-LFBGA
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庫存3,600

IS42S32160C-75BL

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內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-LFBGA
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庫存5,112

IS42S32160C-75BLI

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IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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庫存2,484

IS42S32160C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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訪問時間: 6ns
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庫存5,832

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內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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內存接口: Parallel
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-LFBGA
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庫存8,514

IS42S32160D-6BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存7,506

IS42S32160D-6BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
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供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存7,704

IS42S32160D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
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包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存8,676

IS42S32160D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存3,618

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
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訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
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電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 143MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
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電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
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電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
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訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
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訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
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供應商設備包裝: 86-TSOP II

庫存4,932

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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 86-TSOP II

庫存3,942

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 86-TSOP II

庫存5,346

IS42S32160F-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 5.4ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 86-TSOP II

庫存5,940

IS42S32160F-75EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存8,334

IS42S32160F-75EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存2,088

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存4,968

IS42S32160F-75EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存8,532

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 86-TSOP II

庫存3,508

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 86-TSOP II

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