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IS42RM32400G-75BI-TR
IS42RM32400G-75BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,474
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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存4,932
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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存8,712
IS42RM32400H-6BLI
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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存7,524
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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存5,418
IS42RM32400H-75BI
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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
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庫存8,964
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存8,748
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內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
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庫存5,544
IS42RM32400H-75BLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
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  • 包裝/箱: 90-TFBGA
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庫存7,146
IS42RM32800D-75BL
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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庫存4,140
IS42RM32800D-75BLI
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
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  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存8,514
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存4,806
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
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  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存3,168
IS42RM32800D-75TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
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  • 訪問時間: 5.4ns
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庫存4,698
IS42RM32800E-6BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存6,300
IS42RM32800E-6BLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
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  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存2,862
IS42RM32800E-75BLI
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存7,110
IS42RM32800E-75BLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存6,264
IS42RM32800K-6BLI
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存6,048
IS42RM32800K-6BLI-TR
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內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存6,732
IS42RM32800K-75BLI
IS42RM32800K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存8,496
IS42RM32800K-75BLI-TR
IS42RM32800K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile
  • 內存大小: 256Mb (8M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 133MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)
庫存4,014
IS42S16100C1-5T
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內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存4,680
IS42S16100C1-5TL
IS42S16100C1-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存3,580
IS42S16100C1-5TL-TR
IS42S16100C1-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存6,894
IS42S16100C1-5T-TR
IS42S16100C1-5T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存8,982
IS42S16100C1-6T
IS42S16100C1-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存2,772
IS42S16100C1-6TL
IS42S16100C1-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存7,299
IS42S16100C1-6TL-TR
IS42S16100C1-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存4,014
IS42S16100C1-6T-TR
IS42S16100C1-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM
  • 內存大小: 16Mb (1M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 5.5ns
  • 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 50-TSOP II
庫存3,708