內存IC

IS41LV16105B-60TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS41LV16105B-60TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS41LV16105C-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 42-SOJ

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IS41LV16105C-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 42-SOJ

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IS41LV16105C-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS41LV16105C-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IS41LV16105D-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 42-SOJ

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IS41LV16105D-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 42-SOJ

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IS41LV16105D-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• 供應商設備包裝: 50/44-TSOP II

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IS41LV16105D-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• 供應商設備包裝: 50/44-TSOP II

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IS41LV16256C-35TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - EDO
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 18ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• 供應商設備包裝: 40-TSOP

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IS41LV16256C-35TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - EDO
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 18ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• 供應商設備包裝: 40-TSOP

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IS41LV16257C-35TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 18ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• 供應商設備包裝: 40-TSOP

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IS41LV16257C-35TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM - FP
• 內存大小: 4Mb (256K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 18ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• 供應商設備包裝: 40-TSOP

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IS42R32800J-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SDRAM 256M 133MHZ 90BGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IS42RM16160D-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42RM16160D-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42RM16160D-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42RM16160D-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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IS42RM16160E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.5ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16160K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 256Mb (16M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 3V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16200C-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16200C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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IS42RM16200D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x8)

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