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IDT71T016SA12PHG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA12PHI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA15BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA15BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA15BFI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA15PH

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA15PH8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA15PHI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA15PHI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA20BF

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA20BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA20PH

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA20PH8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA20PHG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA20PHG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA20PHI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T75602S100PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S100PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S133PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT71T75602S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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