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IDT71P74604S250BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P74604S250BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P74804S200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P74804S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P74804S250BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P74804S250BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P74804S250BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S167BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S167BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S250BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S250BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S250BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S250BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S250BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S250BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S267BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 267MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P79804S267BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 267MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71T016SA12BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA12BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA12BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-CABGA (7x7)

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IDT71T016SA12PH

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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IDT71T016SA12PH8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 1Mb (64K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP II

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