內存IC

型號	描述	庫存
MT49H32M18SJ-18:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,226
MT49H32M18SJ-18:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,298
MT49H32M18SJ-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,460
MT49H32M18SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存2,070
MT49H32M18SJ-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存6,786
MT49H32M18SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存6,156
MT49H32M9BM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,694
MT49H32M9BM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,598
MT49H32M9BM-33:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,628
MT49H32M9BM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,002
MT49H32M9FM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,748
MT49H32M9FM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,290
MT49H32M9FM-25 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,248
MT49H32M9FM-33:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存1,494
MT49H32M9FM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,354
MT49H32M9FM-33 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,328
MT49H32M9SJ-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存7,740
MT49H32M9SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (32M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存6,084
MT49H64M9BM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,760
MT49H64M9BM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,812
MT49H64M9CBM-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,892
MT49H64M9FM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,942
MT49H64M9FM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,416
MT49H64M9FM-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,578
MT49H64M9FM-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,624
MT49H64M9SJ-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存7,578
MT49H64M9SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (64M x 9) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存7,326
MT49H8M36BM-18:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,844
MT49H8M36BM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存659
MT49H8M36BM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,644

MT49H32M18SJ-18:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存8,226

MT49H32M18SJ-18:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存8,298

MT49H32M18SJ-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存8,460

MT49H32M18SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存2,070

MT49H32M18SJ-25E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存6,786

MT49H32M18SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存6,156

MT49H32M9BM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,694

MT49H32M9BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,598

MT49H32M9BM-33:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,628

MT49H32M9BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,002

MT49H32M9FM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,748

MT49H32M9FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,290

MT49H32M9FM-25 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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時鐘頻率: 400MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,248

MT49H32M9FM-33:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存1,494

MT49H32M9FM-33:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存6,354

MT49H32M9FM-33 TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存5,328

MT49H32M9SJ-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存7,740

MT49H32M9SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (32M x 9)
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時鐘頻率: 400MHz
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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庫存6,084

MT49H64M9BM-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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時鐘頻率: 400MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,760

MT49H64M9BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,812

MT49H64M9CBM-25E:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,892

MT49H64M9FM-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,942

MT49H64M9FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,416

MT49H64M9FM-25E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,578

MT49H64M9FM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存6,624

MT49H64M9SJ-25E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存7,578

MT49H64M9SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (64M x 9)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存7,326

MT49H8M36BM-18:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,844

MT49H8M36BM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存659

MT49H8M36BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,644

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