MT49H64M9CBM-25E:B
僅供參考
| 型號 | MT49H64M9CBM-25E:B |
| PNEDA編號 | MT49H64M9CBM-25E-B |
| 描述 | IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,892 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸) |
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MT49H64M9CBM-25E:B資源
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MT49H64M9CBM-25E:B規格
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | DRAM |
| 技術 | DRAM |
| 內存大小 | 576Mb (64M x 9) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 400MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | 15ns |
| 電壓-供電 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 144-TFBGA |
| 供應商設備包裝 | 144-µBGA (18.5x11) |
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