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ZXTN04120HKTC

ZXTN04120HKTC

僅供參考

型號 ZXTN04120HKTC
PNEDA編號 ZXTN04120HKTC
描述 TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN04120HKTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN04120HKTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN04120HKTC, ZXTN04120HKTC數據表 (總頁數: 7, 大小: 260.01 KB)
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ZXTN04120HKTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 1A, 5V
功率-最大1.5W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

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