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IRF7853PBF

IRF7853PBF IRF7853PBF

僅供參考

型號 IRF7853PBF
PNEDA編號 IRF7853PBF
描述 MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 19 - 九月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7853PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7853PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF7853PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.9V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1640pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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IRLML0100TRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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