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ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN3A06DN8TA
PNEDA編號 ZXMN3A06DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 12,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3A06DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3A06DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN3A06DN8TA, ZXMN3A06DN8TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 187.18 KB)
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ZXMN3A06DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds796pF @ 25V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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