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SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI9934BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI9934BDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9934BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9934BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI9934BDY-T1-GE3, SI9934BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 91.07 KB)
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SI9934BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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