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UP0331200L

UP0331200L

僅供參考

型號 UP0331200L
PNEDA編號 UP0331200L
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
制造商 Panasonic Electronic Components
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庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UP0331200L資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UP0331200L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
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UP0331200L規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡150MHz, 80MHz
功率-最大125mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-665
供應商設備包裝SSMini5-F2

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

130MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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EMF8T2R

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 320MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

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EMF18XV6T5G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

140MHz

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

FMG11AT148

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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