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FQA140N10

FQA140N10 FQA140N10

僅供參考

型號 FQA140N10
PNEDA編號 FQA140N10
描述 MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,396
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 14 - 十二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQA140N10資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQA140N10
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQA140N10, FQA140N10數據表 (總頁數: 10, 大小: 2,504.62 KB)
PDFFQA140N10數據表 封面
FQA140N10數據表 頁面 2 FQA140N10數據表 頁面 3 FQA140N10數據表 頁面 4 FQA140N10數據表 頁面 5 FQA140N10數據表 頁面 6 FQA140N10數據表 頁面 7 FQA140N10數據表 頁面 8 FQA140N10數據表 頁面 9 FQA140N10數據表 頁面 10

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FQA140N10規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)140A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs285nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.2mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 46µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

制造商

IXYS

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

147nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264AA (IXFK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

包裝/箱

8-PowerWDFN

制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PLUS264™

包裝/箱

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