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ULN2067B

ULN2067B

僅供參考

型號 ULN2067B
PNEDA編號 ULN2067B
描述 TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2067B資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2067B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ULN2067B, ULN2067B數據表 (總頁數: 13, 大小: 256.68 KB)
PDFULN2067B數據表 封面
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ULN2067B規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型4 NPN Darlington (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.75A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 2.25mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-20°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PowerDIP (20x7.10)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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