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2N2639

2N2639

僅供參考

型號 2N2639
PNEDA編號 2N2639
描述 TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2639資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2639
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
2N2639, 2N2639數據表 (總頁數: 5, 大小: 334 KB)
PDF2N5796數據表 封面
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2N2639規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10µA, 5V
功率-最大600mW
頻率-過渡40MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

180MHz, 260MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Panasonic Electronic Components

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 1V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

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安裝類型

Surface Mount

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Nexperia

制造商

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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