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TIP111G

TIP111G

僅供參考

型號 TIP111G
PNEDA編號 TIP111G
描述 TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,900
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 7 - 七月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP111G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP111G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP111G, TIP111G數據表 (總頁數: 8, 大小: 142.81 KB)
PDFTIP116數據表 封面
TIP116數據表 頁面 2 TIP116數據表 頁面 3 TIP116數據表 頁面 4 TIP116數據表 頁面 5 TIP116數據表 頁面 6 TIP116數據表 頁面 7 TIP116數據表 頁面 8

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TIP111G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 10A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 1mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

230mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

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100 @ 2A, 1V

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