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MT25QU01GBBB8E12-0SIT

MT25QU01GBBB8E12-0SIT MT25QU01GBBB8E12-0SIT

僅供參考

型號 MT25QU01GBBB8E12-0SIT
PNEDA編號 MT25QU01GBBB8E12-0SIT
描述 IC FLASH 1G SPI 166MHZ TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 10,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT25QU01GBBB8E12-0SIT資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT25QU01GBBB8E12-0SIT
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT25QU01GBBB8E12-0SIT規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁8ms, 2.8ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-T-PBGA (6x8)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

216-FBGA (12x12)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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