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STP42N65M5

STP42N65M5

僅供參考

型號 STP42N65M5
PNEDA編號 STP42N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 33A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 29 - 七月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP42N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP42N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP42N65M5, STP42N65M5數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,095.38 KB)
PDFSTI42N65M5數據表 封面
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STP42N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)33A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs79mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4650pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

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18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

380nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

700W (Tc)

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