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STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

僅供參考

型號 STGWT80H65FB
PNEDA編號 STGWT80H65FB
描述 IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGWT80H65FB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGWT80H65FB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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STGWT80H65FB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 80A
功率-最大469W
開關能量2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用414nC
25°C時的Td(開/關)84ns/280ns
測試條件400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

125W

開關能量

55µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/100ns

測試條件

390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

功率-最大

375W

開關能量

3.68mJ (on), 1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/216ns

測試條件

400V, 75A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

49A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 27A

功率-最大

160W

開關能量

950µJ (on), 2.01mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

63ns/230ns

測試條件

480V, 27A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

230A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.06µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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