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STGP30H60DFB

STGP30H60DFB

僅供參考

型號 STGP30H60DFB
PNEDA編號 STGP30H60DFB
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP30H60DFB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP30H60DFB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGP30H60DFB, STGP30H60DFB數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,747.99 KB)
PDFSTGB30H60DFB數據表 封面
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STGP30H60DFB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大260W
開關能量383µJ (on), 293µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用149nC
25°C時的Td(開/關)37ns/146ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)53ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

117A

電流-集電極脈沖(Icm)

193A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 38A

功率-最大

500W

開關能量

1192µJ (on), 1088µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

162nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/131ns

測試條件

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 4V, 15A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

428W

開關能量

2mJ (on), 2.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

470nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/330ns

測試條件

400V, 75A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

121ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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