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STGF8NC60KD

STGF8NC60KD

僅供參考

型號 STGF8NC60KD
PNEDA編號 STGF8NC60KD
描述 IGBT 600V 7A 24W TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF8NC60KD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF8NC60KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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STGF8NC60KD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.75V @ 15V, 3A
功率-最大24W
開關能量55µJ (on), 85µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19nC
25°C時的Td(開/關)17ns/72ns
測試條件390V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)23.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 10A

功率-最大

42W

開關能量

150µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/52.2ns

測試條件

400V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37.7ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220F

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

64A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 25A

功率-最大

357W

開關能量

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/185ns

測試條件

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 40A

功率-最大

600W

開關能量

3.87mJ (on), 1.25mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

90ns/226ns

測試條件

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

340ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

800ns/5.1µs

測試條件

5V, 1kOhm

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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門禁費用

72.2nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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