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DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7 DMN32D2LV-7

僅供參考

型號 DMN32D2LV-7
PNEDA編號 DMN32D2LV-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 6 - 十月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN32D2LV-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN32D2LV-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN32D2LV-7, DMN32D2LV-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 500.32 KB)
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DMN32D2LV-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds39pF @ 3V
功率-最大400mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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10.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

752pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 15V

功率-最大

29W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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