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SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJB42EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJB42EP-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJB42EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJB42EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJB42EP-T1_GE3, SQJB42EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 214.52 KB)
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SQJB42EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 25V
功率-最大48W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 12V

功率-最大

1W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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