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APTM100A12STG

APTM100A12STG

僅供參考

型號 APTM100A12STG
PNEDA編號 APTM100A12STG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100A12STG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100A12STG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM100A12STG, APTM100A12STG數據表 (總頁數: 6, 大小: 314.77 KB)
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APTM100A12STG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)68A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs616nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds17400pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A, 770mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

470mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.56nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

798pF @ 10V

功率-最大

1.17W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

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