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SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

僅供參考

型號 SQJ962EP-T1-GE3
PNEDA編號 SQJ962EP-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ962EP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ962EP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJ962EP-T1-GE3, SQJ962EP-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 118.54 KB)
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SQJ962EP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds475pF @ 25V
功率-最大25W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

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