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SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJ912BEP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJ912BEP-T1_GE3
描述 MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 21,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ912BEP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ912BEP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJ912BEP-T1_GE3, SQJ912BEP-T1_GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 270.09 KB)
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  • SQJ912BEP-T1_GE3 Distributor

SQJ912BEP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3000pF @ 25V
功率-最大48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

616nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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