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SIZ920DT-T1-GE3

SIZ920DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ920DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ920DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 28 - 六月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ920DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ920DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ920DT-T1-GE3, SIZ920DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 212.52 KB)
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SIZ920DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1260pF @ 15V
功率-最大39W, 100W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair® (6x5)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Surface Mount

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FET類型

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 15V

功率-最大

23W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

700mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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