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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5504DC-T1-GE3
PNEDA編號 SI5504DC-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 11 - 十二月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5504DC-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5504DC-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5504DC-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 2.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA, 430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2020pF @ 10V

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30V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

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