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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5504DC-T1-GE3
PNEDA編號 SI5504DC-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 8,460
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
付款方式 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運輸方式 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
預計交貨 十月 27 - 十一月 1 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5504DC-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
制造商零件編號SI5504DC-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3數據表 (總頁數: 8, 大小: 120.21 KB)
PDFSI5504DC-T1-GE3數據表 封面
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SI5504DC-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 2.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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