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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5504DC-T1-GE3
PNEDA編號 SI5504DC-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 470
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
付款方式 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運輸方式 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5504DC-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
制造商零件編號SI5504DC-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3數據表 (總頁數: 8, 大小: 120.21 KB)
PDFSI5504DC-T1-GE3數據表 封面
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SI5504DC-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 2.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

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    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

252mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.65nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

81pF @ 15V

功率-最大

260mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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