SIHB12N60E-GE3
僅供參考
| 型號 | SIHB12N60E-GE3 |
| PNEDA編號 | SIHB12N60E-GE3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,332 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸) |
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SIHB12N60E-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SIHB12N60E-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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SIHB12N60E-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 12A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 58nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 937pF @ 100V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 147W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | D2PAK |
| 包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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