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IXGX120N60B

IXGX120N60B IXGX120N60B

僅供參考

型號 IXGX120N60B
PNEDA編號 IXGX120N60B
描述 IGBT 600V 200A 660W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 八月 20 - 八月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGX120N60B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGX120N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGX120N60B, IXGX120N60B數據表 (總頁數: 5, 大小: 471.8 KB)
PDFIXGK120N60B數據表 封面
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IXGX120N60B規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 120A
功率-最大660W
開關能量2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用350nC
25°C時的Td(開/關)60ns/200ns
測試條件480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PLUS247™-3

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IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

320A

電流-集電極脈沖(Icm)

800A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

功率-最大

1500W

開關能量

9.7mJ (on), 21.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

400nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/340ns

測試條件

960V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

54ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

56A

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 24A

功率-最大

190W

開關能量

400µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

64nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/143ns

測試條件

360V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

IHD06N60RA

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

TrenchStop®

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 6A

功率-最大

88W

開關能量

150µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

42nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/125ns

測試條件

400V, 6A, 14.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

PG-TO252-3

SGM2N60UFTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.4A

電流-集電極脈沖(Icm)

10A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

功率-最大

2.1W

開關能量

30µJ (on), 13µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/80ns

測試條件

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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HGTP2N120CN

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 2.6A

功率-最大

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開關能量

96µJ (on), 355µJ (off)

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門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

960V, 2.6A, 51Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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