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SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA907EDJT-T1-GE3
PNEDA編號 SIA907EDJT-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 28,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA907EDJT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA907EDJT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA907EDJT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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16.7A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

功率-最大

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