SI7964DP-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SI7964DP-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | SI7964DP-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 單價 |
|
||||||||||||||||||
| 庫存 | 373 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
SI7964DP-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | SI7964DP-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- SI7964DP-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI7964DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI7964DP-T1-GE3
- SI7964DP-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI7964DP-T1-GE3 Stock
- SI7964DP-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI7964DP-T1-GE3
- SI7964DP-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI7964DP-T1-GE3 Price
- SI7964DP-T1-GE3 Distributor
SI7964DP-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 6.1A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 23mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4.5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 65nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 功率-最大 | 1.4W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 供應商設備包裝 | PowerPAK® SO-8 Dual |
您可能感興趣的產品
|
制造商 系列 NexFET™ FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能 Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2390pF @ 10V 功率-最大 2.5W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerVDFN 供應商設備包裝 8-VSON (3.3x3.3) |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1149pF @ 10V 功率-最大 1.28W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 310pF @ 10V 功率-最大 1.5W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-PowerVDFN 供應商設備包裝 6-PQFN Dual (2x2) |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolSiC™+ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs 23mOhm @ 50A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 125nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3950pF @ 800V 功率-最大 20mW 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
制造商 Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD®, Zero Threshold™ FET類型 4 N-Channel, Matched Pair FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 500mW 工作溫度 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 16-SOIC |
