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SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

僅供參考

型號 SI7956DP-T1-E3
PNEDA編號 SI7956DP-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7956DP-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7956DP-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7956DP-T1-E3, SI7956DP-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 305.5 KB)
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SI7956DP-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2458pF @ 15V

功率-最大

3.3W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 P-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

114pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

336pF @ 25V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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2 N-Channel (Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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