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SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

僅供參考

型號 SI7956DP-T1-E3
PNEDA編號 SI7956DP-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7956DP-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7956DP-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7956DP-T1-E3, SI7956DP-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 305.5 KB)
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SI7956DP-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V, 12nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF, 405pF @ 8V, 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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