Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI7956DP-T1-E3數據表

SI7956DP-T1-E3數據表
總頁數: 12
大小: 305.5 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號: SI7956DP-T1-E3, SI7956DP-T1-GE3
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 1
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 2
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 3
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 4
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 5
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 6
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 7
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 8
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 9
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 10
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 11
SI7956DP-T1-E3數據表 頁面 12
SI7956DP-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® SO-8 Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8 Dual

SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® SO-8 Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8 Dual