Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4831BDY-T1-E3
PNEDA編號 SI4831BDY-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 7 - 七月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4831BDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4831BDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI4831BDY-T1-E3, SI4831BDY-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 110.01 KB)
PDFSI4831BDY-T1-GE3數據表 封面
SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 2 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 3 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 4 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 5 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 6 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 7 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 8 SI4831BDY-T1-GE3數據表 頁面 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • SI4831BDY-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI4831BDY-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4831BDY-T1-E3
  • SI4831BDY-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI4831BDY-T1-E3 Stock

  • SI4831BDY-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI4831BDY-T1-E3
  • SI4831BDY-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4831BDY-T1-E3 Price
  • SI4831BDY-T1-E3 Distributor

SI4831BDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds625pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)2W (Ta), 3.3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

您可能感興趣的產品

IRF6713STRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DIRECTFET™ SQ

包裝/箱

DirectFET™ Isometric SQ

2SJ665-DL-1EX

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263-2

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8442-F085

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

254W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263AB

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK65G10N1,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

U-MOSVIII-H

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMT43M8LFV-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

87A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3213pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

包裝/箱

8-PowerVDFN

最近成交

NLAS4599DFT2G

NLAS4599DFT2G

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT SC88

N25Q256A13EF840E

N25Q256A13EF840E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN

BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

IM03GR

IM03GR

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

W25Q80DVSNIG

W25Q80DVSNIG

Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

0251002.NRT1L

0251002.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 125VAC/VDC AXIAL

MUR160

MUR160

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

NANOSMDC020F-2

NANOSMDC020F-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 24V 200MA 1206

AD8505ARJZ-R7

AD8505ARJZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 166MHZ TBGA

GRM155R61H474KE11D

GRM155R61H474KE11D

Murata

CAP CER 0.47UF 50V X5R 0402