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SH8M4TB1

SH8M4TB1

僅供參考

型號 SH8M4TB1
PNEDA編號 SH8M4TB1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8M4TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8M4TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SH8M4TB1, SH8M4TB1數據表 (總頁數: 6, 大小: 181.7 KB)
PDFSH8M4TB1數據表 封面
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SH8M4TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1.15W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

118A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

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